ZVN4310G

更新时间： 2024-12-01 12:20:07

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT

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ZVN4310G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-223	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.67 A
最大漏极电流 (ID)：	1.67 A	最大漏源导通电阻：	0.54 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVN4310G 数据手册

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN4310G

ISSUE 3 - FEBRUARY 1996

FEATURES

Very low R_DS(ON)= .54Ω

APPLICATIONS

DC - DC Converters

Solenoids/Relay Drivers for Autom otive

PARTMARKING DETAIL -

ZVN4310

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

100

Continuous Drain Current at T_{am b}=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

1.67

I_DM

± 20

Gate Source Voltage

V_GS

Power Dissipation at T_{am b}=25°C

Operating and Storage Tem perature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source

Breakdown Voltage

BV_DSS

100

I_D=1m A, V_GS=0V

I_D=1m A, V_DS= V_GS

Gate-Source Threshold V_GS(th)

Voltage

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

_GS=± 20V, V_DS=0V

V_DS=100V, V_GS=0V

_DS=80V, V_GS=0V, T=125°C(2)

Zero Gate Voltage

Drain Current

100

µA

On-State Drain

Current(1)

I_D(on)

R_DS(on)

g_fs

V_DS=25V, V_GS=10V

Static Drain-Source

On-State Resistance (1)

0.4

0.5

0.54

0.75

V_GS=10V, I_D=3.3A

V_GS=5V, I_D=1.5A

Ω

Forward

0.6

V_DS=25V,I_D=3.3A

Transconductance (1)

Input Capacitance (2)

C_iss

350

140

Comm on Source

C_oss

V_DS=25 V, V_GS=0V, f=1MHz

Output Capacitance (2)

Reverse Transfer

Capacitance (2)

C_rss

Turn-On Delay Tim e

(2)(3)

t_d(on)

_DD≈25V, V_GEN=10V, I_D=3A

Rise Tim e (2)(3)

t_r

R_GS=50Ω

Turn-Off Delay Tim e

(2)(3)

t_d(off)

Fall Tim e (2)(3)

t_f

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sam ple test.

(3) Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

Spice param eter data is available upon request for this device

3 - 413

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVN4310G_12	DIODES	获取价格	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL MOSFET IN SOT223
ZVN4310GTA	ZETEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.67A I(D), 100V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
ZVN4310GTA	DIODES	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.67A I(D), 100V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
ZVN4310GTC	ZETEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.67A I(D), 100V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
ZVN4310GTC	DIODES	获取价格	1.67A, 100V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN
ZVN4424A	ZETEX	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4424A	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4424ASM	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4424ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4424ASMTA	DIODES	获取价格	暂无描述

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