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ZVN4310GTA

更新时间: 2024-12-01 13:16:15
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 55K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.67A I(D), 100V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

ZVN4310GTA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.12外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):1.67 A最大漏源导通电阻:0.75 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):20 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):46 ns
最大开启时间(吨):33 nsBase Number Matches:1

ZVN4310GTA 数据手册

 浏览型号ZVN4310GTA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZVN4310GTA的Datasheet PDF文件第3页 
N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ZVN4310A  
ISSUE 2 – MARCH 94  
FEATURES  
*
*
*
100 Volt VDS  
RDS(on) = 0.5  
Spice m odel available  
D
G
S
E-Line  
TO92 Com patible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
S YMBOL  
VALUE  
UNIT  
V
Dra in -S o u rce Vo ltag e  
VDS  
ID  
100  
0.9  
1
Co n tin u o u s Dra in Cu rren t at Ta m b=25°C  
Pra ctica l Co n tin u o u s Dra in Cu rre n t a t  
A
IDP  
A
T
a m b=25°C  
Pu ls e d Dra in Cu rre n t  
IDM  
12  
± 20  
A
V
Ga te S o u rce Vo lta g e  
VGS  
Po w e r Dis s ip a tio n a t Ta m b=25°C  
Pra ctica l Po w e r Dis s ip a tio n at Ta m b=25°C*  
Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e  
Pto t  
850  
m W  
W
Pto tp  
Tj:Ts tg  
1.13  
-55 to +150  
°C  
*The power which can be dissipated assum ing the device is m ounted in a typical m anner on a P.C.B.  
with copper equal to 1 inch square m inim um  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherw ise stated).  
am b  
PARAMETER  
S YMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS .  
Dra in -S o u rce  
BVDS S  
100  
V
ID=1m A, VGS=0V  
Bre akd o w n Vo ltag e  
Ga te-S o u rce  
VGS (th )  
1
3
V
ID=1m A, VDS= VGS  
Th res h o ld Vo ltag e  
Ga te-Bo d y Lea ka g e  
IGS S  
IDS S  
20  
n A  
V
GS=± 20V, VDS=0V  
Ze ro Ga te Vo lta g e  
Dra in Cu rre n t  
10  
100  
VDS=100V, VGS=0  
DS=80V, VGS=0V, T=125°C(2)  
µA  
µA  
V
On -S ta te Dra in  
Cu rre n t(1)  
ID(o n )  
9
A
VDS=25 V, VGS=10V  
S ta tic Drain -S o u rce  
On -S ta te Res is ta n ce  
(1)  
RDS (o n )  
0.36  
0.48  
0.5  
0.65  
VGS=10V,ID=3A  
VGS=5V, ID=1.5A  
Fo rw a rd  
g fs  
600  
m S  
VDS=25V,ID=3A  
Tra n s co n d u cta n ce  
(1)(2)  
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