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ZVN4424ZTA

更新时间: 2024-12-01 20:01:27
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 558K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

ZVN4424ZTA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:7.46
其他特性:LOW THRESHOLD外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:240 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.3 A最大漏极电流 (ID):0.3 A
最大漏源导通电阻:5.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):15 pFJESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

ZVN4424ZTA 数据手册

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NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN USE DMN30H4D0L  
SOT89 N-CHANNEL ENHANCEMENT  
ZVN4424Z  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ISSUE 1 - NOVEMBER 1998  
FEATURES  
*
*
*
240 Volt BVDS  
Extremely low RDS(on)=4.3Ω  
Low threshold and Fast switching  
D
APPLICATIONS  
*
*
*
*
Earth recall and dialling switches  
Electronic hook switches  
Battery powered equipment  
Telecoms and high voltage dc-dc convertors  
S
D
G
PARTMARKING DETAILS -  
COMPLEMENTARY TYPE -  
N24  
ZVP4424Z  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
YMBOL  
VDS  
VALUE  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
240  
300  
Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
Pulsed Drain Current  
ID  
mA  
A
IDM  
1.0  
Gate Source Voltage  
VGS  
V
± 40  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
1 †  
W
Tj:Tstg  
-55 to +150  
°C  
recommended Ptot calculated using FR4 measuring 15x15x0.6mm  
Refer to the handlnstructions for soldering surface mount components.  

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