ZVN4310A

更新时间： 2024-11-30 22:34:03

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管
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3页	55K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN4310A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.04	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.9 A
最大漏极电流 (ID)：	0.9 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	30 pF
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVN4310A 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN4310A

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

100 Volt V_DS

R_DS(on)= 0.5Ω

Spice m odel available

E-Line

TO92 Com patible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo ltag e

V_DS

I_D

100

0.9

Co n tin u o u s Dra in Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pra ctica l Co n tin u o u s Dra in Cu rre n t a t

I_DP

_{a m b}=25°C

Pu ls e d Dra in Cu rre n t

I_DM

± 20

Ga te S o u rce Vo lta g e

V_GS

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Pra ctica l Po w e r Dis s ip a tio n at T_{a m b}=25°C*

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

850

m W

P_{to tp}

T_j:T_{s tg}

1.13

-55 to +150

°C

*The power which can be dissipated assum ing the device is m ounted in a typical m anner on a P.C.B.

with copper equal to 1 inch square m inim um

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce

BV_{DS S}

100

I_D=1m A, V_GS=0V

Bre akd o w n Vo ltag e

Ga te-S o u rce

V_{GS (th )}

ID=1m A, V_DS= V_GS

Th res h o ld Vo ltag e

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

n A

_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e

Dra in Cu rre n t

100

V_DS=100V, V_GS=0

_DS=80V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On -S ta te Dra in

Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

V_DS=25 V, V_GS=10V

S ta tic Drain -S o u rce

On -S ta te Res is ta n ce

(1)

R_{DS (o n )}

0.36

0.48

0.5

0.65

V_GS=10V,I_D=3A

V_GS=5V, I_D=1.5A

Ω

Fo rw a rd

g _fs

600

m S

V_DS=25V,I_D=3A

Tra n s co n d u cta n ce

(1)(2)

3-393

12 3

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