ZVN4310G

更新时间： 2024-11-30 22:34:03

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	38K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ZVN4310G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.14	Base Number Matches：	1

ZVN4310G 数据手册

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN4310G

ISSUE 3 - FEBRUARY 1996

FEATURES

Very low R_DS(ON)= .54Ω

APPLICATIONS

DC - DC Converters

Solenoids/Relay Drivers for Autom otive

PARTMARKING DETAIL -

ZVN4310

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

100

Continuous Drain Current at T_{am b}=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

1.67

I_DM

± 20

Gate Source Voltage

V_GS

Power Dissipation at T_{am b}=25°C

Operating and Storage Tem perature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source

Breakdown Voltage

BV_DSS

100

I_D=1m A, V_GS=0V

I_D=1m A, V_DS= V_GS

Gate-Source Threshold V_GS(th)

Voltage

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

_GS=± 20V, V_DS=0V

V_DS=100V, V_GS=0V

_DS=80V, V_GS=0V, T=125°C(2)

Zero Gate Voltage

Drain Current

100

µA

On-State Drain

Current(1)

I_D(on)

R_DS(on)

g_fs

V_DS=25V, V_GS=10V

Static Drain-Source

On-State Resistance (1)

0.4

0.5

0.54

0.75

V_GS=10V, I_D=3.3A

V_GS=5V, I_D=1.5A

Ω

Forward

0.6

V_DS=25V,I_D=3.3A

Transconductance (1)

Input Capacitance (2)

C_iss

350

140

Comm on Source

C_oss

V_DS=25 V, V_GS=0V, f=1MHz

Output Capacitance (2)

Reverse Transfer

Capacitance (2)

C_rss

Turn-On Delay Tim e

(2)(3)

t_d(on)

_DD≈25V, V_GEN=10V, I_D=3A

Rise Tim e (2)(3)

t_r

R_GS=50Ω

Turn-Off Delay Tim e

(2)(3)

t_d(off)

Fall Tim e (2)(3)

t_f

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sam ple test.

(3) Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

Spice param eter data is available upon request for this device

3 - 413

中文翻译

下载PDF

与ZVN4310G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVN4310G_12	DIODES	获取价格	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL MOSFET IN SOT223
ZVN4310GTA	ZETEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.67A I(D), 100V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
ZVN4310GTA	DIODES	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.67A I(D), 100V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
ZVN4310GTC	ZETEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.67A I(D), 100V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
ZVN4310GTC	DIODES	获取价格	1.67A, 100V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN
ZVN4424A	ZETEX	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4424A	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4424ASM	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4424ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4424ASMTA	DIODES	获取价格	暂无描述

与ZVN4310G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ZVN4310G

ZVN4310G 技术参数

ZVN4310G 数据手册

与ZVN4310G相关器件

与ZVN4310G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ZVN4310G

ZVN4310G 技术参数

ZVN4310G 数据手册

与ZVN4310G相关器件

与ZVN4310G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？