ZVN4306G

更新时间： 2024-11-30 07:42:43

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SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN4306G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.12
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.1 A
最大漏极电流 (ID)：	2.1 A	最大漏源导通电阻：	0.33 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVN4306G 数据手册

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN4306G

ISSUE 3 - OCTOBER 1995

FEATURES

Very low R_DS(ON)= .33Ω

APPLICATIONS

DC - DC Converters

Solenoids/Relay Drivers for Autom otive

PARTMARKING DETAIL -

ZVN4306

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

Continuous Drain Current at T_{am b}=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

2.1

I_DM

± 20

Gate Source Voltage

V_GS

Power Dissipation at T_{am b}=25°C

Operating and Storage Tem perature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source

Breakdown Voltage

BV_DSS

I_D=1m A, V_GS=0V

I_D=1m A, V_DS= V_GS

Gate-Source Threshold V_GS(th)

Voltage

1.3

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

_GS=± 20V, V_DS=0V

V_DS=60V, V_GS=0V

_DS=48V, V_GS=0V, T=125°C(2)

Zero Gate Voltage

Drain Current

100

µA

On-State Drain

Current(1)

I_D(on)

R_DS(on)

g_fs

V_DS=10V, V_GS=10V

Static Drain-Source

On-State Resistance (1)

0.22

0.32

0.33

0.45

V_GS=10V, I_D=3A

V_GS=5V, I_D=1.5A

Ω

Forward

0.7

V_DS=25V,I_D=3A

Transconductance (1)

Input Capacitance (2)

C_iss

350

140

Comm on Source

C_oss

V_DS=25 V, V_GS=0V, f=1MHz

Output Capacitance (2)

Reverse Transfer

Capacitance (2)

C_rss

Turn-On Delay Tim e

(2)(3)

t_d(on)

V_DD≈25V, V_GEN=10V, I_D=3A

Rise Tim e (2)(3)

t_r

Turn-Off Delay Tim e

(2)(3)

t_d(off)

Fall Tim e (2)(3)

t_f

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sam ple test.

(3) Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

Spice param eter data is available upon request for this device

3 - 411

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZVN4306GTA	DIODES	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVN4306G(3)	ZETEX	获取价格
ZVN4306GTA	ZETEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4306GTA	DIODES	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4306GTC	ZETEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4306GV	ZETEX	获取价格	SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4306GV	DIODES	获取价格	SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4306GVTA	DIODES	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4306GVTC	DIODES	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4306GVTC	ZETEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4310A	ZETEX	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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