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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.33 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZVN4306GVTA | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ZVN4306GVTC | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ZVN4306GVTC | ZETEX |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ZVN4310A | ZETEX |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN4310A | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN4310ASM | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| ZVN4310ASMTA | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| ZVN4310ASMTC | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| ZVN4310ASTOA | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| ZVN4310ASTOB | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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