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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZTX789ASTOB
ZTX789ASTOB PDF预览

ZTX789ASTOB

更新时间： 2024-10-14 13:16:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
3页 64K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX789ASTOB 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.25
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PSIP-W3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

ZTX789ASTOB 数据手册

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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 2 – APRIL 94  
ZTX789A  
FEATURES  
*
*
*
25 Volt VCEO  
Gain of 200 at IC=2 Amps  
Very low saturation voltage  
APPLICATIONS  
*
*
*
Darlington replacement  
Battery powered circuits  
Motor drivers  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-25  
-25  
-5  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
Peak Pulse Current  
-8  
A
Continuous Collector Current  
Practical Power Dissipation*  
IC  
-3  
A
Ptotp  
Ptot  
1.5  
W
Power Dissipation at Tamb=25°C  
derate above 25°C  
1
5.7  
W
mW/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
-25  
-25  
-5  
V
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
-0.1  
-0.1  
VCB=-15V  
µA  
µA  
IEBO  
VEB=-4V  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
-0.25  
-0.45  
-0.5  
V
V
V
IC=-1A, IB=-10mA*  
IC=-2A, IB=-20mA*  
IC=-3A, IB=-100mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-1.0  
V
IC=-1A, IB=-10mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
-0.8  
V
IC=-1A, VCE=-2V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
300  
250  
200  
100  
800  
IC=-10mA, VCE=-2V  
IC=-1A, VCE=-2V*  
IC=-2A, VCE=-2V*  
IC=-6A, VCE=-2V*  
3-276  
123

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