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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZTX792A
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ZTX792A

更新时间： 2024-02-17 14:02:13
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捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
3页 64K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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ZTX792A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：E-LINE PACKAGE-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.19Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：70 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PSIP-W3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

ZTX792A 数据手册

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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 2 – APRIL 94  
ZTX792A  
FEATURES  
*
*
*
70 Volt VCEO  
Gain of 400 at IC=3 Amps  
Very low saturation voltage  
APPLICATIONS  
*
*
*
*
Darlington replacement  
Flash gun convertors  
Battery powered circuits  
Motor drivers  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-75  
-70  
-5  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
Peak Pulse Current  
-4  
A
Continuous Collector Current  
Practical Power Dissipation*  
IC  
-2  
A
Ptotp  
Ptot  
1.5  
W
Power Dissipation at Tamb=25°C  
derate above 25°C  
1
5.7  
W
mW/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
-75  
-70  
-5  
V
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
-0.1  
-0.1  
VCB=-40V  
µA  
µA  
IEBO  
VEB=-4V  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
-0.45  
-0.5  
-0.5  
V
V
V
IC=-500mA, IB=-5mA*  
IC=-1A, IB=-25mA*  
IC=-2A, IB=-200mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-0.95  
V
IC=-1A, IB=-25mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
-0.75  
V
IC=-1A, VCE=-2V*  
Static Forward Current  
Transfer  
300  
250  
200  
800  
IC=-10mA, VCE=-2V*  
IC=-500mA, VCE=-2V*  
IC=-1A, VCE=-2V*  
3-282  
123

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