ZTX796A

更新时间： 2024-11-24 22:18:51

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管局域网
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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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ZTX796A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.26	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

ZTX796A 数据手册

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 1 APRIL 94

ZTX796A

FEATURES

200 Volt V_CEO

Gain of 250 at I_C=0.3 Amps

Very low saturation voltage

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-200

-5

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

-1

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

I_C

-0.5

1.5

P_totp

P_tot

Power Dissipation at T_amb=25°C

derate above 25°C

5.7

mW/°C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

-200

-5

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

I_CBO

-0.1

V_CB=-150V

µA

I_EBO

V_EB=-4V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

-0.2

-0.3

I_C=-50mA, I_B=-2mA*

I_C=-100mA, I_B=-5mA*

I_C=-200mA, I_B=-20mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

-0.95

I_C=-200mA, I_B=-20mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

-0.67

IC=-200mA, V_CE=-10V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

300

250

100

800

I_C=-10mA, V_CE=-10V*

I_C=-100mA, V_CE=-10V*

I_C=-300mA, V_CE=-10V*

I_C=-400mA, V_CE=-10V*

3-288

12 3

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