ZTX790A

更新时间： 2024-11-25 07:42:51

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美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管开关局域网
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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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ZTX790A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	0.77
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	300
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

ZTX790A 数据手册

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 2 APRIL 94

ZTX790A

FEATURES

40 Volt V_CEO

Gain of 200 at I_C=1 Amps

Very low saturation voltage

APPLICATIONS

Darlington replacement

Siren driver

Battery powered circuits

Motor drivers

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-50

-40

-5

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

-6

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

I_C

-2

P_totp

P_tot

1.5

Power Dissipation at T_amb=25°C

derate above 25°C

5.7

mW/°C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

-50

-40

-5

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

I_CBO

-0.1

V_CB=-30V

µA

I_EBO

V_EB=-4V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

-0.25

-0.45

-0.75

I_C=-500mA, I_B=-5mA*

I_C=-1A, I_B=-10mA*

I_C=-2A, I_B=-50mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

-1.0

I_C=-1A, I_B=-10mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

-0.75

IC=-1A, V_CE=-2V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

300

250

200

150

800

I_C=-10mA, V_CE=-2V

I_C=-500mA, V_CE=-2V*

I_C=-1A, V_CE=-2V*

I_C=-2A, V_CE=-2V*

3-279

12 3

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ZTX790A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZTX790ASTZ	DIODES	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COM
ZTX705	DIODES	功能相似	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS
ZTX657	DIODES	功能相似	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

与ZTX790A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZTX790AQ	DIODES	获取价格	PNP, 40V, 2A, E-Line
ZTX790ASM	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COM
ZTX790ASMTC	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COM
ZTX790ASTOA	DIODES	获取价格	暂无描述
ZTX790ASTOB	DIODES	获取价格	Transistor
ZTX790ASTZ	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COM
ZTX792	ZETEX	获取价格	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ZTX792A	ZETEX	获取价格	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ZTX792A	DIODES	获取价格	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ZTX792ASMTA	DIODES	获取价格	暂无描述

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