ZTX657

更新时间： 2024-09-09 07:42:51

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美台 - DIODES		晶体晶体管高压局域网
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2页	54K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

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ZTX657 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	0.73	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

ZTX657 数据手册

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER

ZTX656

ZTX657

HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

ISSUE 2 JULY 94

FEATURES

300 Volt V_CEO

0.5 Amp continuous current

P_tot=1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX656

200

ZTX657

300

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

200

300

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

0.5

P_tot

°C

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated).

ZTX656

ZTX657

PARAMETER

SYMBOL

V_(BR)CBO

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX. MIN. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

200

300

I_C=100µA, I_E=0

I_C=10mA, I_B=0*

I_E=100µA, I_C=0

V_CB=160V, I_E=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

100

0.5

100

V_CB=200V, I_E=0

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

V_EB=3V, I_C=0

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

0.5

I_C=100mA, I_B=10mA*

IC=100mA, V_CE=5V*

Base-Emitter

Saturation Voltage

Base-Emitter

Turn-On Voltage

Static Forward

Current Transfer

Ratio

I_C=100mA, V_CE=5V

I_C=10mA, V_CE=5V

Transition

Frequency

f_T

MHz I_C=10mA, V_CE=20V

f=20MHz

3-227

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ZTX657 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZTX790ASTZ	DIODES	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COM
ZTX705	DIODES	类似代替	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS
ZTX658	DIODES	功能相似	NPN, 400V, 0.5A, E-Line

与ZTX657相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZTX657DA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| CHIP
ZTX657DB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| CHIP
ZTX657DC	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| CHIP
ZTX657DWP	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.041 X 0.041 INC
ZTX657K	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
ZTX657K	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
ZTX657L	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
ZTX657M1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SO
ZTX657Q	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI
ZTX657SM	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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