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XP05501(XP5501)

更新时间： 2024-11-29 23:33:51
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描述
複合デバイス － 複合トランジスタ

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XP05501(XP5501) 数据手册

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複合トランジスタ  
XP05501 (XP5501)  
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形  
Unit : mm  
+0.05  
0.12  
–0.02  
一般増幅用  
0.2 0.05  
5
6
4
■ 特ꢀ長  
•
•
1パッケージに2素子内蔵  
実装面積とアセンブリコストの半減が可能  
1
2
3
(0.65) (0.65)  
1.3 0.1  
2.0 0.1  
■ 基  
本品種  
10˚  
•
2SD0601A (2SD601A) × 2  
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C  
項目  
記号  
定格  
60  
単位  
V
1 : Emitter (Tr1)  
2 : Base (Tr1)  
3 : Base (Tr2)  
EIAJ : SC-88  
4 : Collector (Tr2)  
5 : Emitter (Tr2)  
6 : Collector (Tr1)  
SMini6-G1 Package  
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) VCBO  
コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO  
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) VEBO  
50  
V
7
V
コレクタ電流  
尖頭コレクタ電流  
全許容損失  
IC  
ICP  
PT  
100  
200  
150  
mA  
mA  
mW  
形名表示記号 : 5L  
内部接続図  
6
5
4
接
合温度  
Tj  
150  
°C  
保存温度  
Tstg  
−55 ∼ +150  
°C  
Tr1  
1
Tr2  
3
2
■ 電気的特性 Ta = 25°C 3°C  
項目  
記号  
条件  
最小 標準 最大  
単位  
V
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)  
VCBO  
IC = 10 µA, IE = 0  
IC = 2 mA, IB = 0  
IE = 10 µA, IC = 0  
VCB = 20 V, IE = 0  
VCE = 10 V, IB = 0  
VCE = 10 V, IC = 2 mA  
60  
50  
7
コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO  
V
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)  
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時)  
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)  
VEBO  
ICBO  
ICEO  
hFE  
V
0.1  
100  
µA  
µA  
直流電流増幅率  
160  
460  
*
直
流電流増幅率比  
hFE(Small/ VCE = 10 V, IC = 2 mA  
0.50  
0.99  
Large)  
コレクタ・エミッタ間飽和電圧  
トランジション周 波数  
VCE(sat) IC = 100 mA, IB = 10 mA  
0.3  
V
MHz  
pF  
fT  
VCB = 10 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
150  
3.5  
コレクタ出力容量(入力開放時)  
Cob  
注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。  
2. : 2素子間比  
*
注) 形名の( )内は，従来品  
番です  
発行年月 : 2003年8月  
SJJ00190BJD  
1
123

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