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WTM304N160LS

更新时间： 2023-12-06 20:10:05

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先科 - SWST		晶体
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7页	571K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM304N160LS 数据手册

WTM304N160LS-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

• Low Gate-Source Threshold Voltage

• Halogen and Antimony Free(HAF)

RoHS compliant

Gate

1. Source 2. Source 3. Source 4. Gate

5. Drain 6. Drain 7. Drain 8. Drain

DFN3030 Plastic Package

Source

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

16 @ V_GS= 10 V

20 @ V_GS= 4.5 V

1.6

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

22 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

Drain Current - Continuous

I_D

Drain Current Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

100

9.8

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

E_AS

℃

P_D

23.3

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

5.3

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.5 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 9.8 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device Surface Mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, in a still air.

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Dated: 28/10/2022 Rev: 02

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