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WTM306N180LS-CH

更新时间： 2023-12-06 20:10:28

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先科 - SWST		晶体
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7页	618K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM306N180LS-CH 数据手册

WTM306N180LS-CH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low R_DS(ON)

• AEC-Q101 Qualified

Gate

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Source

1. Source 2. Source 3. Source 4. Gate

5. Drain 6. Drain 7. Drain 8. Drain

DFN3030 Plastic Package

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

16 @ V_GS= 10 V

18 @ V_GS= 4.5 V

1.4

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

37 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

19.5

Drain Current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

100

19.6

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

19.2

℃

Power Dissipation

P_tot

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

4.1

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

R_θJA

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150℃.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 ℃, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 19.6 A, V_GS= 10 V.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 03/01/2023 Rev: 01

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