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WTM306N180LS

更新时间： 2024-11-06 14:56:03

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先科 - SWST		晶体
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7页	618K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM306N180LS 数据手册

WTM306N180LS-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low R_DS(ON)

• Halogen and Antimony Free(HAF),

Gate

RoHS compliant

Source

1. Source 2. Source 3. Source 4. Gate

5. Drain 6. Drain 7. Drain 8. Drain

DFN3030 Plastic Package

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

16 @ V_GS= 10 V

18 @ V_GS= 4.5 V

1.4

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

37 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

19.5

Drain Current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

100

19.6

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

19.2

℃

Power Dissipation

P_tot

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

4.1

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

R_θJA

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150℃.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 ℃, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 19.6 A, V_GS= 10 V.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 12/08/2022 Rev: 02

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