Datasheet > W29C020C-12

W29C020C-12

更新时间： 2024-09-18 22:14:51

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		/
页数	文件大小	规格书
21页	194K
描述
256K X 8 CMOS FLASH MEMORY

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

W29C020C-12 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.88	最长访问时间：	120 ns
启动块：	BOTTOM/TOP	JESD-30 代码：	R-PDIP-T32
JESD-609代码：	e0	长度：	41.91 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.33 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	类型：	NOR TYPE
宽度：	15.24 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms

W29C020C-12 数据手册

W29C020C

256K ´ 8 CMOS FLASH MEMORY

GENERAL DESCRIPTION

The W29C020C is a 2-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 256K 8 bits. The

device can be written (erased and programmed) in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt

is not required. The unique cell architecture of the W29C020C results in fast write

(erase/program) operations with extremely low current consumption compared to other comparable 5-

volt flash memory products. The device can also be written (erased and programmed) by using

standard EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt write (erase and program)

operations

Software and hardware data protection

Low power consumption

· Fast page-write operations

- Active current: 25 mA (typ.)

128 bytes per page

Standby current: 20 A (typ.)

Page write (erase/program) cycle: 10 mS

(max.)

· Automatic write (erase/program) timing with

internal V generation

Effective byte-write (erase/program) cycle

· End of write (erase/program) detection

time: 39 S

Toggle bit

Optional software-protected data write

Data polling

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Two 8 KB boot blocks with lockout

· Whole chip cycling: 10K (typ.)

· Read access time: 70/90/120 nS

· Twenty-year data retention

· Latched address and data

· All inputs and outputs directly TTL compatible

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Available packages: 32-pin 600 mil DIP, 32-pin

TSOP, and 32-pin PLCC

Publication Release Date: April 2000

- 1 -

Revision A2

12 3 4 5 6 7...21

中文翻译

下载PDF

与W29C020C-12相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W29C020C-12B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020C12BN	ETC	获取价格	EEPROM\|FLASH\|256KX8\|CMOS\|DIP\|32PIN\|PLASTIC
W29C020C-70	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020C-70B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020C-90	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020C-90B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020C90BN	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
W29C020CP-12	WINBOND	获取价格	Flash, 256KX8, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
W29C020CP12B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020CP12N	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM

与W29C020C-12相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

29
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

28
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

100
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

94

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W29C020C-12

W29C020C-12 技术参数

W29C020C-12 数据手册

与W29C020C-12相关器件

与W29C020C-12相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

W29C020C-12

W29C020C-12 技术参数

W29C020C-12 数据手册

与W29C020C-12相关器件

与W29C020C-12相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？