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W29C020CT90B

更新时间： 2024-11-07 22:14:51

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
21页	194K
描述
256K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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W29C020CT90B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.83	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION; 20-YEARS DATA RETENTION	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	20	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1,1,1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	8K,240K,8K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

W29C020CT90B 数据手册

W29C020C

256K ´ 8 CMOS FLASH MEMORY

GENERAL DESCRIPTION

The W29C020C is a 2-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 256K 8 bits. The

device can be written (erased and programmed) in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt

is not required. The unique cell architecture of the W29C020C results in fast write

(erase/program) operations with extremely low current consumption compared to other comparable 5-

volt flash memory products. The device can also be written (erased and programmed) by using

standard EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt write (erase and program)

operations

Software and hardware data protection

Low power consumption

· Fast page-write operations

- Active current: 25 mA (typ.)

128 bytes per page

Standby current: 20 A (typ.)

Page write (erase/program) cycle: 10 mS

(max.)

· Automatic write (erase/program) timing with

internal V generation

Effective byte-write (erase/program) cycle

· End of write (erase/program) detection

time: 39 S

Toggle bit

Optional software-protected data write

Data polling

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Two 8 KB boot blocks with lockout

· Whole chip cycling: 10K (typ.)

· Read access time: 70/90/120 nS

· Twenty-year data retention

· Latched address and data

· All inputs and outputs directly TTL compatible

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Available packages: 32-pin 600 mil DIP, 32-pin

TSOP, and 32-pin PLCC

Publication Release Date: April 2000

- 1 -

Revision A2

12 3 4 5 6 7...21

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W29C020CT90B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
W29C020T-90B	WINBOND	功能相似	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020T-90	WINBOND	功能相似	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY

与W29C020CT90B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W29C020CT90N	ETC	获取价格	EEPROM\|FLASH\|256KX8\|CMOS\|TSSOP\|32PIN\|PLASTIC
W29C020P-12	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020P-12A	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020P-12B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020P-70	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020P-70A	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020P-70B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020P-90	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020P-90A	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020P-90B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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