是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.88 | 最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION; 20-YEARS DATA RETENTION | 启动块: | BOTTOM/TOP |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
数据保留时间-最小值: | 20 | 耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,1,1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.56 mm |
部门规模: | 8K,240K,8K | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 11.43 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
W29C020P-70B | WINBOND |
功能相似 |
256K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29C020P-70 | WINBOND |
功能相似 |
256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W29C020CP90B | WINBOND |
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256K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29C020CP90N | ETC |
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EEPROM|FLASH|256KX8|CMOS|LDCC|32PIN|PLASTIC | |
W29C020CP90Z | WINBOND |
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暂无描述 | |
W29C020CT12B | WINBOND |
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256K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29C020CT12N | ETC |
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EEPROM|FLASH|256KX8|CMOS|TSSOP|32PIN|PLASTIC | |
W29C020CT70B | WINBOND |
获取价格 |
256K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29C020CT90B | WINBOND |
获取价格 |
256K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29C020CT90N | ETC |
获取价格 |
EEPROM|FLASH|256KX8|CMOS|TSSOP|32PIN|PLASTIC | |
W29C020P-12 | WINBOND |
获取价格 |
256K X 8 CMOS FLASH MEMORY | |
W29C020P-12A | WINBOND |
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256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |