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W29C020CP70B

更新时间： 2024-11-19 22:14:51

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256K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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W29C020CP70B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.88	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION; 20-YEARS DATA RETENTION	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	20	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1,1,1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.56 mm
部门规模：	8K,240K,8K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms

W29C020CP70B 数据手册

W29C020C

256K ´ 8 CMOS FLASH MEMORY

GENERAL DESCRIPTION

The W29C020C is a 2-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 256K 8 bits. The

device can be written (erased and programmed) in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt

is not required. The unique cell architecture of the W29C020C results in fast write

(erase/program) operations with extremely low current consumption compared to other comparable 5-

volt flash memory products. The device can also be written (erased and programmed) by using

standard EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt write (erase and program)

operations

Software and hardware data protection

Low power consumption

· Fast page-write operations

- Active current: 25 mA (typ.)

128 bytes per page

Standby current: 20 A (typ.)

Page write (erase/program) cycle: 10 mS

(max.)

· Automatic write (erase/program) timing with

internal V generation

Effective byte-write (erase/program) cycle

· End of write (erase/program) detection

time: 39 S

Toggle bit

Optional software-protected data write

Data polling

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Two 8 KB boot blocks with lockout

· Whole chip cycling: 10K (typ.)

· Read access time: 70/90/120 nS

· Twenty-year data retention

· Latched address and data

· All inputs and outputs directly TTL compatible

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Available packages: 32-pin 600 mil DIP, 32-pin

TSOP, and 32-pin PLCC

Publication Release Date: April 2000

- 1 -

Revision A2

12 3 4 5 6 7...21

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W29C020CP70B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
W29C020P-70B	WINBOND	功能相似	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020P-70	WINBOND	功能相似	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY

与W29C020CP70B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W29C020CP90B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020CP90N	ETC	获取价格	EEPROM\|FLASH\|256KX8\|CMOS\|LDCC\|32PIN\|PLASTIC
W29C020CP90Z	WINBOND	获取价格	暂无描述
W29C020CT12B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020CT12N	ETC	获取价格	EEPROM\|FLASH\|256KX8\|CMOS\|TSSOP\|32PIN\|PLASTIC
W29C020CT70B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020CT90B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020CT90N	ETC	获取价格	EEPROM\|FLASH\|256KX8\|CMOS\|TSSOP\|32PIN\|PLASTIC
W29C020P-12	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020P-12A	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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