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W29C020S-70

更新时间： 2024-11-19 22:41:27

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
21页	267K
描述
256K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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W29C020S-70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP32,.56
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	128 BYTE PAGE WRITE; DATA RETENTION= 10 YEARS
启动块：	BOTTOM/TOP	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	1000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	20.45 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1,1,1	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP32,.56	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3 mm	部门规模：	8K,240K,8K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	11.3 mm	Base Number Matches：	1

W29C020S-70 数据手册

W29C020

256K ´ 8 CMOS FLASH MEMORY

GENERAL DESCRIPTION

The W29C020 is a 2-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 256K ´ 8 bits. The

device can be written (erased and programmed) in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt

VPP is not required. The unique cell architecture of the W29C020 results in fast write (erase/program)

operations with extremely low current consumption compared to other comparable 5-volt flash

memory products. The device can also be written (erased and programmed) by using standard

EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt write (erase and program)

operations

· Software and hardware data protection

· Low power consumption

· Fast page-write operations

- 128 bytes per page

- Active current: 25 mA (typ.)

- Standby current: 20 mA (typ.)

- Page write (erase/program) cycle: 10 mS

(max.)

· Automatic write (erase/program) timing with

internal VPP generation

- Effective byte-write (erase/program) cycle

time: 39 mS

· End of write (erase/program) detection

- Toggle bit

- Optional software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Two 8 KB boot blocks with lockout

- Data polling

· Latched address and data

· All inputs and outputs directly TTL compatible

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Typical page write (erase/program) cycles:

100/1K/10K

· Available packages: 32-pin 600 mil DIP, 450 mil

SOP, TSOP, and 32-pin PLCC

· Read access time: 70/90/120 nS

· Ten-year data retention

Publication Release Date: February 1998

- 1 -

Revision A3

12 3 4 5 6 7...21

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