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W29C020S-90

更新时间： 2024-11-19 22:41:27

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华邦 - WINBOND		/
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21页	267K
描述
256K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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W29C020S-90 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP32,.56
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.88	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	128 BYTE PAGE WRITE; DATA RETENTION= 10 YEARS	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	1000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	20.45 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1,1,1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP32,.56
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3 mm
部门规模：	8K,240K,8K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	11.3 mm
Base Number Matches：	1

W29C020S-90 数据手册

W29C020

256K ´ 8 CMOS FLASH MEMORY

GENERAL DESCRIPTION

The W29C020 is a 2-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 256K ´ 8 bits. The

device can be written (erased and programmed) in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt

VPP is not required. The unique cell architecture of the W29C020 results in fast write (erase/program)

operations with extremely low current consumption compared to other comparable 5-volt flash

memory products. The device can also be written (erased and programmed) by using standard

EPROM programmers.

FEATURES

· Single 5-volt write (erase and program)

operations

· Software and hardware data protection

· Low power consumption

· Fast page-write operations

- 128 bytes per page

- Active current: 25 mA (typ.)

- Standby current: 20 mA (typ.)

- Page write (erase/program) cycle: 10 mS

(max.)

· Automatic write (erase/program) timing with

internal VPP generation

- Effective byte-write (erase/program) cycle

time: 39 mS

· End of write (erase/program) detection

- Toggle bit

- Optional software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Two 8 KB boot blocks with lockout

- Data polling

· Latched address and data

· All inputs and outputs directly TTL compatible

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Typical page write (erase/program) cycles:

100/1K/10K

· Available packages: 32-pin 600 mil DIP, 450 mil

SOP, TSOP, and 32-pin PLCC

· Read access time: 70/90/120 nS

· Ten-year data retention

Publication Release Date: February 1998

- 1 -

Revision A3

12 3 4 5 6 7...21

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