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W29C020CP-12

更新时间： 2024-09-19 15:57:51

品牌	Logo	应用领域
华邦 - WINBOND		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	182K
描述
Flash, 256KX8, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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W29C020CP-12 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	PLASTIC, LCC-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.37
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
启动块：	BOTTOM/TOP	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
长度：	13.97 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	类型：	NOR TYPE
宽度：	11.43 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

W29C020CP-12 数据手册

W29C020C

256K x 8 CMOS FLASH MEMORY

GENERAL DESCRIPTION

The W29C020C is a 2-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 256K ´ 8 bits. The device

can be written (erased and programmed) in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt VPP is

not required. The unique cell architecture of the W29C020C results in fast write (erase/program)

operations with extremely low current consumption compared to other comparable 5-volt flash memory

products. The device can also be written (erased and programmed) by using standard EPROM

programmers.

FEATURES

· Single 5-volt write (erase and program)

operations

· Software and hardware data protection

· Low power consumption

· Fast page-write operations

- 128 bytes per page

- Active current: 25 mA (typ.)

- Standby current: 20 mA (typ.)

- Page write (erase/program) cycle: 10 mS

(max.)

· Automatic write (erase/program) timing with

internal VPP generation

- Effective byte-write (erase/program) cycle

time: 39 mS

· End of write (erase/program) detection

- Toggle bit

- Optional software-protected data write

· Fast chip-erase operation: 50 mS

· Two 8 KB boot blocks with lockout

- Data polling

· Latched address and data

· All inputs and outputs directly TTL compatible

· JEDEC standard byte-wide pinouts

· Whole chip cycling:

10K (typ.)

· Read access time: 70/90/120 nS

· Twenty-year data retention

· Available packages: 32-pin 600 mil DIP, 32-pin

TSOP, and 32-pin PLCC

Publication Release Date: April 1999

- 1 -

Revision A1

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W29C020CP12B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020CP12N	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
W29C020CP70B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020CP90B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020CP90N	ETC	获取价格	EEPROM\|FLASH\|256KX8\|CMOS\|LDCC\|32PIN\|PLASTIC
W29C020CP90Z	WINBOND	获取价格	暂无描述
W29C020CT12B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020CT12N	ETC	获取价格	EEPROM\|FLASH\|256KX8\|CMOS\|TSSOP\|32PIN\|PLASTIC
W29C020CT70B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29C020CT90B	WINBOND	获取价格	256K X 8 CMOS FLASH MEMORY

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