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VT6M1

更新时间： 2022-09-11 23:25:53
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罗姆 - ROHM 驱动
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9页 1319K
描述
1.2V Drive Nch + Pch MOSFET

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VT6M1 数据手册

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Data Sheet  
1.2V Drive Nch + Pch MOSFET  
VT6M1  
Structure  
Dimensions (Unit : mm)  
Silicon N-channel MOSFET/  
Silicon P-channel MOSFET  
VMT6  
1.2  
0.5  
(6) (5) (4)  
Features  
1) Low on-resistance.  
2) Small package(VMT6).  
3) Low voltage drive(1.2V drive).  
(1) (2) (3)  
0.16 0.13  
0.4  
0.4  
0.8 0.1  
Abbreviated symbol : M01  
Application  
Switching  
Packaging specifications  
Inner circuit  
(6)  
(5)  
(4)  
Package  
Taping  
T2CR  
8000  
Type  
Code  
∗1  
Basic ordering unit (pieces)  
VT6M1  
∗2  
∗2  
∗1  
(1) Tr1 Source  
(2) Tr1 Gate  
(3) Tr2 Drain  
(4) Tr2 Source  
(5) Tr2 Gate  
(6) Tr1 Drain  
(1)  
(2)  
(3)  
1 ESD PROTECTION DIODE  
2 BODY DIODE  
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)  
Parameter Symbol  
Limits  
Unit  
Tr1 : N-ch Tr2 : P-ch  
Drain-source voltage  
VDSS  
VGSS  
ID  
20  
8  
20  
10  
V
V
Gate-source voltage  
Continuous  
Pulsed  
100  
400  
100  
400  
mA  
mA  
Drain current  
*1  
IDP  
*2  
0.15  
0.12  
150  
W / TOTAL  
W / ELEMENT  
PD  
Power dissipation  
Channel temperature  
Tch  
C  
C  
55 to 150  
Range of storage temperature  
*1 Pw10s, Duty cycle1%  
Tstg  
*2 Each terminal mounted on a recommended land.  
www.rohm.com  
2011.09 - Rev.A  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/8  
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