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VT6T1T2R PDF预览

VT6T1T2R

更新时间： 2024-02-04 03:35:05
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 183K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, VMT6, 6 PIN

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VT6T1T2R 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：5.73最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：350 MHzBase Number Matches：1

VT6T1T2R 数据手册

 浏览型号VT6T1T2R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VT6T1T2R的Datasheet PDF文件第3页 
Power management (dual transistors)  
VT6T1  
zStructure  
zDimensions (Unit : mm)  
PNP silicon epitaxial planar transistor  
VMT6  
0.5  
± 0.1  
1.2  
(6)  
±
0.1  
(5)  
(4)  
zFeatures  
0 ~ 0.05  
Very small package with two transistors.  
(1)  
(2)  
(3)  
0.16  
±
0.05  
0.13  
± 0.05  
0.4  
0.8  
0.4  
zApplications  
±
0.1  
Switch, LED driver  
Abbreviated symbol : T1  
Each lead has same dimensions.  
UNIT : mm  
zPackaging specifications  
zInner circuit  
Package  
Code  
Taping  
T2R  
(6) (5) (4)  
(1) Emitter (Tr1)  
(2) Base (Tr1)  
Tr2  
Basic ordering  
unit (pieces)  
8000  
Tr1  
Type  
(3) Collector (Tr2)  
(4) Emitter (Tr2)  
VT6T1  
(5) Base  
(6) Collector (Tr1)  
(Tr2)  
(1) (2) (3)  
z Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Limits  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Unit  
V
Parameter  
−20  
−20  
−5  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
V
−200  
−400  
150  
120  
mA  
mA  
mW  
mW  
°C  
Collector current  
∗1  
ICP  
Total  
∗2  
PD  
Power dissipation  
Element  
Tj  
150  
Junction temperature  
−55 to +150  
°C  
Tstg  
Storage temperature  
∗1 Pw=1mS Single pulse  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
Symbol  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
Min.  
Typ. Max.  
Unit  
Conditions  
−
−
20  
20  
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
=
=
−
−
−
= −  
=
−
=
=
=
1mA  
C
50µA  
−
5
−
−
V
E
=
50µA  
20V  
5V  
100mA, I  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
120  
−
−
−
−
−
−
0.1  
0.1  
µA  
µA  
V
V
CB  
Emitter cut-off current  
I
V
EB  
−
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
−
560  
−
0.30  
I
C
=
B
=
−10mA  
−
0.12  
−
h
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE  
CE  
CB  
−
−
−
2V, I  
C=  
−1mA  
Transition frequency  
f
T
350  
3
10V, I  
10V, I  
E
=10mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
Output capacitance  
Cob  
−
E
www.rohm.com  
2009.06 - Rev.A  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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