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VT6X11T2R PDF预览

VT6X11T2R

更新时间： 2024-02-08 13:36:51
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 179K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, VMT6, 6 PIN

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VT6X11T2R 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.75Samacsys Description：Bipolar Transistors - BJT NPN+NPN 20VCEO 0.2A VMT6
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：CURRENT MIRROR最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：400 MHzBase Number Matches：1

VT6X11T2R 数据手册

 浏览型号VT6X11T2R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VT6X11T2R的Datasheet PDF文件第3页 
Power management (dual transistors)  
VT6X11  
zStructure  
zDimensions (Unit : mm)  
NPN silicon epitaxial planar transistor  
VMT6  
0.5  
± 0.1  
1.2  
(6)  
±
0.1  
(5)  
(4)  
zFeatures  
0 ~ 0.05  
1) Very small package with two transistors.  
2) Suitable for current mirror circuits.  
(1)  
(2)  
(3)  
0.16  
±
0.05  
0.13  
± 0.05  
0.4  
0.8  
0.4  
±
0.1  
zApplications  
Current mirror circuits  
Abbreviated symbol : X11  
Each lead has same dimensions.  
UNIT : mm  
zPackaging specifications  
zInner circuit  
Package  
Code  
Taping  
T2R  
(6)  
(5)  
(4)  
(1) Base  
(Tr1)  
(2) Emitter  
(3) Emitter  
(Tr1)  
(Tr2)  
Basic ordering  
unit (pieces)  
8000  
Type  
Tr2  
(4) Collector (Tr2)  
(5) Collector (Tr1)  
VT6X11  
Tr1  
(5) Base  
(Tr2)  
(6) Collector (Tr1)  
z Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
(6) Base  
(Tr2)  
(1)  
(2)  
(3)  
Limits  
20  
Symbol  
Unit  
V
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
20  
V
5
V
I
C
200  
400  
150  
120  
mA  
mA  
mW  
mW  
°C  
Collector current  
∗1  
∗2  
I
CP  
Total  
P
D
Power dissipation  
Element  
T
j
150  
Junction temperature  
−55 to +150  
°C  
T
stg  
Range of storage temperature  
∗1 Pw=1mS Single pulse  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
Symbol  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
Min.  
Typ. Max.  
Unit  
V
Conditions  
20  
20  
5
−
−
−
−
−
−
−
−
0.1  
0.1  
0.30  
560  
I
I
I
C
=1mA  
C=50µA  
V
V
E
=50µA  
CB=20V  
EB=5V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
FE (Tr1) /  
−
−
−
120  
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cut-off current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
I
C
=100mA, I =10mA  
B
0.12  
−
h
−
V
V
V
V
CE=2V, I  
C=1mA  
DC current gain ratio  
Transition frequency  
Output capacitance  
h
hFE (Tr2) 0.9  
−
400  
2
1.1  
−
−
−
MHz  
pF  
CE=2V, I  
C=1mA  
f
T
−
−
CE=10V, I  
CB=10V, I  
E
=−10mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
Cob  
E
www.rohm.com  
2009.06 - Rev.A  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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