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VT6X12T2R PDF预览

VT6X12T2R

更新时间： 2024-02-26 15:28:05
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 125K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, VMT6, 6 PIN

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VT6X12T2R 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：5.76最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：CURRENT MIRROR
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：350 MHz
Base Number Matches：1

VT6X12T2R 数据手册

 浏览型号VT6X12T2R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VT6X12T2R的Datasheet PDF文件第3页 
Power management (dual transistors)  
VT6X12  
zStructure  
zDimensions (Unit : mm)  
NPN silicon epitaxial planar transistor  
VMT6  
0.5  
± 0.1  
1.2  
(6)  
±
0.1  
(5)  
(4)  
zFeatures  
0 ~ 0.05  
1) Very small package with two transistors.  
2) Suitable for current mirror circuits.  
(1)  
(2)  
(3)  
0.16  
±
0.05  
0.13  
± 0.05  
0.4  
0.8  
0.4  
±
0.1  
zApplications  
Current mirror circuits  
Abbreviated symbol : X12  
Each lead has same dimensions.  
UNIT : mm  
zPackaging specifications  
zInner circuit  
(6)  
(5)  
(4)  
Package  
Code  
Taping  
T2R  
(1) Base  
(Tr1)  
(2) Emitter  
(3) Emitter  
(Tr1)  
(Tr2)  
Basic ordering  
unit (pieces)  
8000  
Type  
Tr2  
(4) Collector (Tr2)  
(5) Collector (Tr1)  
VT6X12  
Tr1  
(5) Base  
(Tr2)  
(6) Collector (Tr1)  
(6) Base  
(Tr2)  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
(1)  
(2)  
(3)  
Limits  
50  
Symbol  
Unit  
V
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
50  
V
5
V
I
C
100  
200  
150  
120  
mA  
mA  
mW  
mW  
°C  
Collector current  
∗1  
∗2  
I
CP  
Total  
Element  
P
D
Power dissipation  
T
j
150  
Junction temperature  
−55 to +150  
°C  
T
stg  
Range of storage temperature  
∗1 Pw=1mS Single pulse  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
Symbol  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
Min.  
Typ. Max.  
Unit  
V
Conditions  
50  
−
−
−
−
−
−
−
−
0.1  
0.1  
0.30  
560  
I
I
I
C
=1mA  
C=50µA  
50  
V
5
V
E
=50µA  
CB=50V  
EB=5V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
FE (Tr1) /  
−
−
−
120  
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cut-off current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
I
C
=50mA, I =5mA  
B
0.10  
−
h
−
V
CE=6V, I  
C=1mA  
DC current gain ratio  
Transition frequency  
Output capacitance  
h
hFE (Tr2) 0.9  
−
350  
1.6  
1.1  
−
−
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE=6V, I  
C=1mA  
f
T
−
−
CE=10V, I  
CB=10V, I  
E
E
=−10mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
Cob  
www.rohm.com  
2009.10 - Rev.A  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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