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VT6T11

更新时间： 2024-11-13 08:17:51
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罗姆 - ROHM 晶体晶体管
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3页 188K
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Power management (dual transistors)

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VT6T11 数据手册

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Power management (dual transistors)  
VT6T11  
zStructure  
zDimensions (Unit : mm)  
PNP silicon epitaxial planar transistor  
VMT6  
0.5  
± 0.1  
1.2  
(6)  
±
0.1  
(5)  
(4)  
zFeatures  
0 ~ 0.05  
1) Very small package with two transistors.  
2) Suitable for current mirror circuits.  
(1)  
(2)  
(3)  
0.16  
±
0.05  
0.13  
± 0.05  
0.4  
0.8  
0.4  
±
0.1  
zApplications  
Current mirror circuits  
Abbreviated symbol : T11  
Each lead has same dimensions.  
UNIT : mm  
zPackaging specifications  
zInternal circuit  
Package  
Code  
Taping  
T2R  
(6)  
(5)  
(4)  
(1) Base  
(Tr1)  
(2) Emitter  
(3) Emitter  
(Tr1)  
(Tr2)  
Basic ordering  
unit (pieces)  
8000  
Type  
Tr2  
(4) Collector (Tr2)  
(5) Collector (Tr1)  
VT6T11  
Tr1  
(5) Base  
(Tr2)  
(6) Collector (Tr1)  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
(6) Base  
(Tr2)  
(1)  
(2)  
(3)  
Limits  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Unit  
V
Parameter  
−
−
20  
20  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
−
5
V
−
−
200  
400  
mA  
mA  
mW  
mW  
°C  
Collector current  
∗1  
ICP  
Total  
150  
120  
∗2  
PD  
Power dissipation  
Element  
Tj  
150  
Junction temperature  
−55 to +150  
°C  
Tstg  
Storage temperature  
∗1 Pw=1mS Single pulse  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
Symbol  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
Min.  
Typ. Max.  
Unit  
V
Conditions  
−20  
−20  
−5  
−
−
−
120  
−
−
−
−
−
−
−
−
I
I
I
C
= −1mA  
C= −50µA  
V
V
E
= −50µA  
CB= −20V  
EB= −5V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
FE (Tr1) /  
−0.1  
−0.1  
−0.30  
560  
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cut-off current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
I
C
= −100mA, I = −10mA  
B
−0.12  
−
h
−
V
V
V
V
CE= −2V, I  
C= −1mA  
DC current gain ratio  
Transition frequency  
Output capacitance  
h
hFE (Tr2) 0.9  
−
350  
3
1.1  
−
−
−
MHz  
pF  
CE= −2V, I  
C= −1mA  
f
T
−
−
CE= −10V, I  
CB= −10V, I  
E
E
=10mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
Cob  
www.rohm.com  
2009.06 - Rev.A  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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