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VS-MBRD650CT-M3

更新时间： 2024-09-25 15:57:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 161K
描述
DIODE 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3, Rectifier Diode

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VS-MBRD650CT-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.65 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：490 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

VS-MBRD650CT-M3 数据手册

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VS-MBRD650CT-M3, VS-MBRD660CT-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 3 A  
FEATURES  
• Low forward voltage drop  
Base  
common  
cathode  
4
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• Popular D-PAK outline  
• Center tap configuration  
• Small foot print, surface mountable  
• High frequency operation  
2
Common  
cathode  
D-PAK (TO-252AA)  
1
3
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
Anode  
Anode  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
D-PAK (TO-252AA)  
2 x 3 A  
DESCRIPTION  
IF(AV)  
The VS-MBRD650CT-M3, VS-MBRD660CT-M3 surface  
mount, center tap, Schottky rectifier series has been  
designed for applications requiring low forward drop and  
small foot prints on PC boards. Typical applications are in  
disk drives, switching power supplies, converters,  
freewheeling diodes, battery charging, and reverse battery  
protection.  
VR  
50 V, 60 V  
0.65 V  
VF at IF  
IRM  
15 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Common cathode  
6 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
6
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
50/60  
490  
tp = 5 μs sine  
A
VF  
3 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.65  
V
TJ  
-40 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VS-MBRD650CT-M3 VS-MBRD660CT-M3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
50  
60  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per leg  
3.0  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 128 °C, rectangular waveform  
per device  
6
A
Maximum peak one cycle   
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
Following any rated load  
condition and with rated  
RRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
490  
IFSM  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 1 A, L = 12 mH  
75  
V
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
6
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
0.6  
Revision: 24-Nov-16  
Document Number: 93325  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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