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VS-MBRS120TRPBF

更新时间： 2024-09-25 15:57:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 101K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, SIMILAR TO DO-214AA, SMB, 2 PIN

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VS-MBRS120TRPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214AA
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.46
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.35 VJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：40 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：20 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-MBRS120TRPBF 数据手册

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VS-MBRS120TRPbF  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 1.0 A  
FEATURES  
• Small foot print, surface mountable  
• Very low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
Cathode  
Anode  
SMB  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• Designed and qualified for industrial level  
PRODUCT SUMMARY  
DESCRIPTION  
IF(AV)  
1.0 A  
20 V  
20 mA at 125 °C  
The VS-MBRS120TRPbF surface mount Schottky rectifier  
has been designed for applications requiring low forward  
drop and small foot prints on PC boards. Typical  
applications are in disk drives, switching power supplies,  
converters, freewheeling diodes, battery charging, and  
reverse battery protection.  
VR  
IRM  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
1.0  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
20  
tp = 5 μs sine  
1.0 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
310  
A
VF  
0.35  
V
TJ  
- 65 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VS-MBRS120TRPbF  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
20  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TL = 138 °C, rectangular waveform  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
1.0  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
310  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 1 A, L = 4 mH  
40  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
2.0  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
0.8  
Document Number: 94316  
Revision: 05-Mar-10  
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与VS-MBRS120TRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-MBRS130L-M3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 1.0 A
VS-MBRS130LTRPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, S
VS-MBRS130-M3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 1.0 A
VS-MBRS130-M3/5BT VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 30V V(RRM), Silicon, SMB, SIMILAR TO DO-214AA, 2 PIN
VS-MBRS140-M3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 1.0 A
VS-MBRS140-M3/5BT VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 40V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT
VS-MBRS140TRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, S
VS-MBRS190-M3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier
VS-MBRS190-M3/5BT VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 90V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT
VS-MBRS190TRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, S

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