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VS-MBRS190-M3/5BT PDF预览

VS-MBRS190-M3/5BT

更新时间： 2024-09-25 20:52:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 128K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 90V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMB, SIMILAR TO DO-214AA, 2 PIN

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VS-MBRS190-M3/5BT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：DO-214AA, 2 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：5.74其他特性：FREE WHEELING DIODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：90 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-MBRS190-M3/5BT 数据手册

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VS-MBRS190-M3, VS-MBRS1100-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 1.0 A  
FEATURES  
• Small foot print, surface mountable  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
Cathode  
Anode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
SMB  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
SMB  
1 A  
DESCRIPTION  
IF(AV)  
The VS-MBRS190-M3, VS-MBRS1100-M3 surface mount  
Schottky rectifier has been designed for applications  
requiring low forward drop and very small foot prints on PC  
boards. Typical applications are in disk drives, switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, battery  
charging, and reverse battery protection.  
VR  
90 V, 100 V  
0.78 V  
VF at IF  
IRM  
1 mA at 125 °C  
175 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Single die  
1.0 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
1.0  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
90, 100  
870  
tp = 5 μs sine  
1.0 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
A
VF  
0.63  
V
TJ  
-55 to +175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-MBRS190-M3  
90  
VS-MBRS1100-M3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
100  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TL = 147 °C, rectangular waveform  
VALUES UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
1.0  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
870  
A
Following any rated load  
condition and with rated  
Maximum peak one cycle  
IFSM  
non-repetitive surge current  
VRRM applied  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 0.5 A, L = 8 mH  
50  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
1.0  
0.5  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
Revision: 26-Aug-14  
Document Number: 95744  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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