5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > VS-MBRD650CTTR-M3
VS-MBRD650CTTR-M3 PDF预览

VS-MBRD650CTTR-M3

更新时间： 2024-11-13 15:57:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 161K
描述
DIODE 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3, Rectifier Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

VS-MBRD650CTTR-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.65 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：490 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

VS-MBRD650CTTR-M3 数据手册

 浏览型号VS-MBRD650CTTR-M3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VS-MBRD650CTTR-M3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VS-MBRD650CTTR-M3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VS-MBRD650CTTR-M3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VS-MBRD650CTTR-M3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VS-MBRD650CTTR-M3的Datasheet PDF文件第7页 
VS-MBRD650CT-M3, VS-MBRD660CT-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 3 A  
FEATURES  
• Low forward voltage drop  
Base  
common  
cathode  
4
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• Popular D-PAK outline  
• Center tap configuration  
• Small foot print, surface mountable  
• High frequency operation  
2
Common  
cathode  
D-PAK (TO-252AA)  
1
3
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
Anode  
Anode  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
D-PAK (TO-252AA)  
2 x 3 A  
DESCRIPTION  
IF(AV)  
The VS-MBRD650CT-M3, VS-MBRD660CT-M3 surface  
mount, center tap, Schottky rectifier series has been  
designed for applications requiring low forward drop and  
small foot prints on PC boards. Typical applications are in  
disk drives, switching power supplies, converters,  
freewheeling diodes, battery charging, and reverse battery  
protection.  
VR  
50 V, 60 V  
0.65 V  
VF at IF  
IRM  
15 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Common cathode  
6 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
6
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
50/60  
490  
tp = 5 μs sine  
A
VF  
3 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.65  
V
TJ  
-40 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VS-MBRD650CT-M3 VS-MBRD660CT-M3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
50  
60  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per leg  
3.0  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 128 °C, rectangular waveform  
per device  
6
A
Maximum peak one cycle   
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
Following any rated load  
condition and with rated  
RRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
490  
IFSM  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 1 A, L = 12 mH  
75  
V
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
6
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
0.6  
Revision: 24-Nov-16  
Document Number: 93325  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

中文翻译

下载PDF

与VS-MBRD650CTTR-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-MBRD650CTTRR-M3 VISHAY

获取价格

 		High Performance Schottky Rectifier, 2 x 3 A
VS-MBRD650CTTRRPBF VISHAY

获取价格

 		DIODE 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SIMILAR TO TO-252
VS-MBRD660CT-M3 VISHAY

获取价格

 		High Performance Schottky Rectifier, 2 x 3 A
VS-MBRD660CTPBF VISHAY

获取价格

 		DIODE 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SIMILAR TO TO-252
VS-MBRD660CTTRL-M3 VISHAY

获取价格

 		High Performance Schottky Rectifier, 2 x 3 A
VS-MBRD660CTTR-M3 VISHAY

获取价格

 		High Performance Schottky Rectifier, 2 x 3 A
VS-MBRD660CTTRPBF VISHAY

获取价格

 		DIODE 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SIMILAR TO TO-252
VS-MBRD660CTTRR-M3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SIMILAR TO TO-252AA
VS-MBRD660CTTRRPBF VISHAY

获取价格

 		DIODE 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SIMILAR TO TO-252
VS-MBRS1100-M3 VISHAY

获取价格

 		High Performance Schottky Rectifier

与VS-MBRD650CTTR-M3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证