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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.22 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS |
| 应用： | EFFICIENCY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.76 V |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 150 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 15 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 120 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| V30120CHM3-4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V30120CI | VISHAY |
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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.49 V at IF = 5 A |
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| V30120C-M3/4W | VISHAY |
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DIODE 15 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL |
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| V30120C-M3-4W | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V30120S | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V30120S_08 | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A |
|
| V30120S_11 | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V30120S_12 | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V30120S-E3 | VISHAY |
获取价格 |
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A |
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| V30120S-E3/45 | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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