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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> V30120S-E3/45
V30120S-E3/45 PDF预览

V30120S-E3/45

更新时间： 2024-11-20 05:52:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管高压
页数 文件大小 规格书
5页 137K
描述
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V30120S-E3/45 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
最大非重复峰值正向电流：300 A元件数量：1
最高工作温度：150 °C最大输出电流：30 A
最大重复峰值反向电压：120 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
Base Number Matches：1

V30120S-E3/45 数据手册

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V30120S & VI30120S  
Vishay General Semiconductor  
New Product  
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.402 V at I = 5 A  
F
F
FEATURES  
• Trench MOS Schottky Technology  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
TO-220AB  
TO-262AA  
K
• Low thermal resistance  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
3
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
3
2
2
1
1
V30120S  
VI30120S  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
PIN 2  
K
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency inverters, switching power  
supplies, free-wheeling diodes, Oring diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
MECHANICAL DATA  
IF(AV)  
30 A  
120 V  
300 A  
0.70 V  
150 °C  
Case: TO-220AB & TO-262AA  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
VRRM  
IFSM  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade  
VF at IF = 30 A  
Tj max.  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
V30120S  
VI30120S  
UNIT  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (see Fig. 1)  
VRRM  
120  
30  
IF(AV)  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
300  
A
Peak repetitive reverse current per leg at tp = 2 µs, 1 kHz  
Voltage rate of change (rated VR)  
IRRM  
dv/dt  
1.0  
A
10000  
V/µs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 20 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Breakdown voltage  
at IR = 1.0 mA Tj = 25 °C  
V(BR)  
120 (minimum)  
-
V
at IF = 5 A  
0.478  
0.648  
0.854  
-
-
I
I
F = 15 A  
F = 30 A  
Tj = 25 °C  
0.95  
Instantaneous forward voltage (1)  
VF  
V
at IF = 5 A  
0.402  
0.582  
0.698  
-
-
I
I
F = 15 A  
F = 30 A  
Tj = 125 °C  
0.75  
Document Number 88974  
27-Jul-06  
www.vishay.com  
1
12345

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V30120S-E3/45 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
V30120S-E3/4W VISHAY

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 		DIODE 30 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
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