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V30120SGHM3/4W

更新时间： 2024-11-20 21:06:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 142K
描述
DIODE 30 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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V30120SGHM3/4W 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.66
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：220 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：120 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

V30120SGHM3/4W 数据手册

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V30120SG, VI30120SG  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A  
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
TO-220AB  
TO-262AA  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
K
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s,  
per JESD 22-B106  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
3
3
2
2
1
1
TYPICAL APPLICATIONS  
V30120SG  
VI30120SG  
For use in high frequency DC/DC converters, switching  
power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and  
reverse battery protection.  
PIN 1  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 2  
K
PIN 3  
PIN 3  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB and TO-262AA  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
30 A  
120 V  
220 A  
0.81 V  
150 °C  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
VRRM  
commercial grade  
IFSM  
Terminals: matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VF at IF = 30 A  
TJ max.  
Package  
TO-220AB, TO-262AA  
Single  
Polarity: as marked  
Diode variation  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
V30120SG  
VI30120SG  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
VRRM  
120  
30  
V
A
IF(AV)  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
220  
A
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/μs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-40 to +150  
Revision: 09-Nov-17  
Document Number: 89245  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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与V30120SGHM3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V30120SG-M3/4W VISHAY

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 		DIODE 30 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
V30120SHM3-4W VISHAY

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 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V30120S-M3/4W VISHAY

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 		DIODE 30 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
V30120S-M3-4W VISHAY

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 		High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V30150C VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A
V30150C_11 VISHAY

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V30150CHM3/4W VISHAY

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 		DIODE 15 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL

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