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V30200C-E3/4W PDF预览

V30200C-E3/4W

更新时间： 2024-02-24 01:34:34
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高压
页数 文件大小 规格书
5页 158K
描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A

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V30200C-E3/4W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.31
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.69 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

V30200C-E3/4W 数据手册

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New Product  
V30200C, VB30200C & VI30200C  
Vishay General Semiconductor  
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.526 V at I = 5 A  
F
F
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
TMBS®  
TO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
• High efficiency operation  
• Low thermal resistance  
3
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
2
1
V30200C  
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB and  
TO-262AA package)  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TO-263AB  
TO-262AA  
K
K
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency inverters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
2
3
1
2
1
VB30200C  
VI30200C  
PIN 1  
PIN 2  
K
PIN 1  
PIN 2  
K
MECHANICAL DATA  
HEATSINK  
PIN 3  
Case: TO-220AB, TO-263AB and TO-262AA  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
IF(AV)  
2 x 15 A  
VRRM  
200 V  
250 A  
IFSM  
VF at IF = 15 A  
TJ max.  
0.648 V  
150 °C  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
V30200C  
VB30200C  
VI30200C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
200  
V
Maximum average forward rectified current  
(Fig. 1)  
per device  
per diode  
30  
15  
IF(AV)  
A
A
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
250  
Non-repetitive avalanche energy at IAS = 2.0 A, TJ = 25 °C  
Peak repetitive reverse current at tp = 2 µs, 1 kHz per diode  
Voltage rate of change (rated VR)  
EAS  
IRRM  
100  
1.0  
mJ  
A
dV/dt  
10 000  
V/µs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 40 to + 150  
Document Number: 89014  
Revision: 31-Jul-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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