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V30120C-M3/4W

更新时间： 2024-11-20 20:02:11

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
5页	143K
描述
DIODE 15 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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V30120C-M3/4W 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.22
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.76 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	15 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	120 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

V30120C-M3/4W 数据手册

V30120C, VI30120C

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V_F= 0.50 V at I_F= 5 A

FEATURES

TMBS^®

• Trench MOS Schottky technology

TO-220AB

TO-262AA

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

VI30120C

V30120C

For use in high frequency DC/DC converters, switching

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

reverse battery protection.

PIN 1

PIN 3

PIN 2

CASE

PIN 3

MECHANICAL DATA

PRIMARY CHARACTERISTICS

Case: TO-220AB and TO-262AA

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

I_F(AV)

2 x 15 A

Base P/N-M3

commercial grade

- halogen-free, RoHS-compliant, and

V_RRM

120 V

150 A

0.68 V

150 °C

I_FSM

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

V_Fat I_F= 15 A

T_Jmax.

Polarity: as marked

Package

TO-220AB, TO-262AA

Common cathode

Mounting Torque: 10 in-lbs max.

Diode variation

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V30120C

VI30120C

UNIT

Max. repetitive peak reverse voltage

V_RRM

120

per device

per diode

Max. average forward rectified current (fig. 1)

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load per diode

I_FSM

150

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

10 000

V/μs

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-40 to +150

Revision: 09-Nov-17

Document Number: 89160

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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V30120C-M3/4W 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
V30120C-E3/4W	VISHAY	功能相似	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

与V30120C-M3/4W相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
V30120C-M3-4W	VISHAY	获取价格	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V30120S	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V30120S_08	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A
V30120S_11	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V30120S_12	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V30120S-E3	VISHAY	获取价格	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A
V30120S-E3/45	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V30120S-E3/4W	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A
V30120S-E3_15	VISHAY	获取价格	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V30120S-E3-4W_13	VISHAY	获取价格	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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