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US6H23

更新时间： 2024-01-05 23:16:00

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罗姆 - ROHM		晶体数字晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	98K
描述
Dual digital transistors

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US6H23 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.55	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
最小直流电流增益 (hFE)：	820	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

US6H23 数据手册

US6H23

Transistors

Dual digital transistors

US6H23

zDimensions (Unit : mm)

zFeatures

In addition to the features of regular digital transistors.

1) Low saturation voltage, typically

V^{CE (sat)}=40mV at IC / IB=50mA / 2.5mA, makes these

transistors ideal for muting circuits.

2) These transistors can be used at high current levels,

I^C=600mA.

TUMT6

zStructure

NPN silicon epitaxial planar transistor

Abbreviated symbol : H23

zPackaging specifications and h^FE

zEquivalent circuit

(6)

(5)

(4)

Package

TUMT6

Taping

Packaging type

Code

Type

R=4.7kΩ R=4.7kΩ

TR1

TR2

Basic ordering unit (pieces)

3000

(1) : Emitter<<Tr1>>

(2) : Base<<Tr1>>

(3) : Collector<<Tr2>>

(4) : Emitter<<Tr2>>

(5) : Base<<Tr2>>

US6H23

(1)

(2)

(3)

(6) : Collector<<Tr1>>

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Limits

Unit

600

Collector current

I_CP

∗1

∗2

∗3

0.4(TOTAL)

1.0(TOTAL)

0.7(ELEMENT)

150

°C

Power dissipation

P_D

Junction temperature

Range of storage temperature

Tstg

−55 to +150

∗1 Pw=10ms 1 Pulse

∗2 Each terminal mounted on a recommended land

∗3 Mounted on a ceramic board

1/3

12 3 4

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