是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 16 weeks |
风险等级: | 1.71 | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 12 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.3 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.0013 A | 最大漏源导通电阻: | 0.26 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-F6 |
JESD-609代码: | e2 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Copper (Sn/Cu) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
US6J12 | ROHM |
获取价格 |
US6J12是适合开关用途的低导通电阻MOSFET。 | |
US6J2 | ROHM |
获取价格 |
Small switching (−20V, −1A) | |
US6J2TR | ROHM |
获取价格 |
2.5V Drive PchPch MOSFET | |
US6K1 | ROHM |
获取价格 |
2.5V Drive Nch+Nch MOS FET | |
US6K1_09 | ROHM |
获取价格 |
2.5V Drive Nch+Nch MOSFET | |
US6K1TR | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 | |
US6K2 | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Nch+Nch MOSFET | |
US6K2_07 | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Nch+Nch MOSFET | |
US6K2_1 | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Nch+Nch MOSFET | |
US6K2TR | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |