US6K4

更新时间： 2024-09-22 03:22:55

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罗姆 - ROHM		驱动
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4页	92K
描述
1.8V Drive Nch+Nch MOSFET

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US6K4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	1.5 A	最大漏源导通电阻：	0.24 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e2	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

US6K4 数据手册

US6K4

Transistors

1.8V Drive Nch+Nch MOSFET

US6K4

zStructure

zDimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel MOSFET

TUMT6

zFeatures

1) Two Nch MOSFETs are put in TUMT6 package.

2) High-speed switching, Low On-resistance.

3) 1.8V drive.

Abbreviated symbol : K04

zApplications

Switching

zPackaging specifications

zInner circuit

(6)

(5)

(4)

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

3000

∗1

US6K4

∗2

∗1

(1) Tr1 Source

(2) Tr1 Gate

(3) Tr2 Drain

(4) Tr2 Source

(5) Tr2 Gate

(6) Tr1 Drain

(1)

(2)

(3)

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

Unit

Continuous

1.5

Drain current

Pulsed

∗1

I_DP

I_S

3.0

Source current

(Body diode)

Continuous

0.6

∗1

∗2

Pulsed

I_SP

2.4

W / TOTAL

W / ELEMENT

°C

1.0

Total power dissipation

P_D

0.7

Channel temperature

Tch

150

Range of storage temperature

∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

∗2 Mounted on a ceramic board

Tstg

−55 to +150

°C

zThermal resistance

Parameter

Symbol

Limits

125

Unit

°C/W / TOTAL

°C/W / ELEMENT

∗

Channel to ambient

Rth(ch-a)

179

∗ Mounted on a ceramic board

Rev.A

1/3

12 3 4

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