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US6M1_1

更新时间： 2024-02-24 13:40:04
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罗姆 - ROHM 驱动
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8页 108K
描述
4V+2.5V Drive Nch+Nch MOSFET

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US6M1  
Transistors  
4V+2.5V Drive Nch+Nch MOSFET  
US6M1  
zStructure  
zDimensions (Unit : mm)  
Silicon N-channel / P-channel MOSFET  
TUMT6  
zFeatures  
1) Low on-resistance.  
2) Built-in G-S Protection Diode.  
3) Small Surface Mount Package (TUMT6).  
Abbreviated symbol : M01  
zApplication  
Power switching, DC / DC converter.  
zPackaging specifications  
zEquivalent circuit  
Package  
Taping  
TR  
(6)  
(5)  
(4)  
Type  
Code  
∗1  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
US6M1  
∗2  
∗2  
(1) Tr1 (Nch) Source  
(2) Tr1 (Nch) Gate  
(3) Tr2 (Pch) Drain  
(4) Tr2 (Pch) Source  
(5) Tr2 (Pch) Gate  
(6) Tr1 (Nch) Drain  
∗1  
(1)  
(2)  
(3)  
∗1 ESD PROTECTION DIODE  
∗2 BODY DIODE  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Tr1 : Nchannel Tr2 : Pchannel  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
VDSS  
VGSS  
ID  
30  
20  
−20  
−12  
1
V
V
1.4  
5.6  
0.6  
5.6  
A
Continuous  
Pulsed  
Drain current  
∗1  
IDP  
4
A
IS  
−0.4  
−4  
A
Continuous  
Pulsed  
Source current  
(Body diode)  
∗1  
ISP  
A
W / TOTAL  
W / ELEMENT  
°C  
1
∗2  
Total power dissipation  
Channel temperature  
PD  
0.7  
150  
Tch  
Storage temperature  
∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
∗2 Mounted on a ceramic board.  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
zThermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
125  
179  
°C / W /TOTAL  
°C / W / ELEMENT  
Channel to ambient  
Rth (ch-a)∗  
∗2 Mounted on a ceramic board.  
Rev.B  
1/7  
12345678

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