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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 16 weeks |
| 风险等级： | 1.07 | Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 727563 |
| Samacsys Pin Count： | 6 | Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) |
| Samacsys Package Category： | SO Transistor Flat Lead | Samacsys Footprint Name： | TUMT6 |
| Samacsys Released Date： | 2018-03-02 21:58:56 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| US6KB80R | SHINDENGEN |
获取价格 |
Silicon Bridge Diodes |
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| US6M1 | ROHM |
获取价格 |
4V+2.5V Drive Nch+Nch MOSFET |
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| US6M1_1 | ROHM |
获取价格 |
4V+2.5V Drive Nch+Nch MOSFET |
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| US6M11 | ROHM |
获取价格 |
1.5V Drive Nch+Pch MOSFET |
|
| US6M11_09 | ROHM |
获取价格 |
1.5V Drive Nch+Pch MOSFET |
|
| US6M1TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| US6M2 | ROHM |
获取价格 |
2.5 Drive Nch+Pch MOS FET |
|
| US6M2_07 | ROHM |
获取价格 |
2.5V Drive Nch+Pch MOSFET |
|
| US6M2TR | ROHM |
获取价格 |
2.5V Drive NchPch MOSFET |
|
| US6T4 | ROHM |
获取价格 |
Low frequency amplifier |
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