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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | STATIC COLUMN | 其他特性： | CAS BEFORE RAS |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 | 长度： | 21.21 mm |
| 内存密度： | 18874368 bit | 内存集成电路类型： | STATIC COLUMN DRAM |
| 内存宽度： | 9 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 组织： | 2MX9 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.76 mm |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPD4217100G3-50 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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| UPD4217100G3-60 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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| UPD4217100G3-70 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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| UPD4217100G3-80 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
|
| UPD4217100G3M-50 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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| UPD4217100G3M-60 | RENESAS |
获取价格 |
16MX1 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24 |
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| UPD4217100G3M-70 | RENESAS |
获取价格 |
IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,TSOP,24PIN,PLASTIC |
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| UPD4217100G3M-70 | NEC |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 16MX1, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24 |
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| UPD4217100G3M-80 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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| UPD4217100G5-60 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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