Datasheet > UPD4217100G3M-60

UPD4217100G3M-60

更新时间： 2024-02-21 14:35:05

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
52页	2441K
描述
16MX1 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPD4217100G3M-60 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G24	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2-R
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	1.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...52

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD4217100G3M-70	RENESAS	获取价格	IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,TSOP,24PIN,PLASTIC
UPD4217100G3M-70	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX1, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24
UPD4217100G3M-80	ETC	获取价格	x1 Fast Page Mode DRAM
UPD4217100G5-60	ETC	获取价格	x1 Fast Page Mode DRAM
UPD4217100G5-70	RENESAS	获取价格	IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,TSOP,24PIN,PLASTIC
UPD4217100G5-70	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX1, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24
UPD4217100G5-80	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX1, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24
UPD4217100G5M-60	ETC	获取价格	x1 Fast Page Mode DRAM
UPD4217100G5M-70	RENESAS	获取价格	IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,TSOP,24PIN,PLASTIC
UPD4217100G5M-80	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX1, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24