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UPD4217100G5-60

更新时间: 2024-01-29 16:53:40
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
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52页 2557K
描述
x1 Fast Page Mode DRAM

UPD4217100G5-60 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G24
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:1.1 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

UPD4217100G5-60 数据手册

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