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UPD4217100G5M-70

更新时间: 2024-02-01 18:29:41
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
52页 2441K
描述
IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,TSOP,24PIN,PLASTIC

UPD4217100G5M-70 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2-R,
针数:28/24Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G24
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2-R封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:1.1 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

UPD4217100G5M-70 数据手册

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