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UPD4217100V-10

更新时间: 2024-01-28 03:43:10
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 807K
描述
x1 Fast Page Mode DRAM

UPD4217100V-10 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.425 INCH, PLASTIC, ZIP-24
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:100 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PZIP-T24
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:ZIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
座面最大高度:12.07 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:1.27 mm端子位置:ZIG-ZAG
宽度:2.8 mm

UPD4217100V-10 数据手册

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