生命周期: | Obsolete | 包装说明: | 0.425 INCH, PLASTIC, ZIP-24 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码: | R-PZIP-T24 |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM |
内存宽度: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX1 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | ZIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 2048 |
座面最大高度: | 12.07 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | ZIG-ZAG |
宽度: | 2.8 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPD4217100V-60 | NEC |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 16MX1, 60ns, CMOS, PZIP24, 0.475 INCH, PLASTIC, ZIP-24 |
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UPD4217100V-70 | RENESAS |
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IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,ZIP,24PIN,PLASTIC |
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UPD4217100V-80 | RENESAS |
获取价格 |
IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,ZIP,24PIN,PLASTIC |
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UPD4217101G5-10 | ETC |
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x1 Nibble Mode DRAM |
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UPD4217101G5-60 | ETC |
获取价格 |
x1 Nibble Mode DRAM |
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UPD4217101G5-70 | ETC |
获取价格 |
x1 Nibble Mode DRAM |
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UPD4217101G5-80 | ETC |
获取价格 |
x1 Nibble Mode DRAM |
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UPD4217101G5M-10 | ETC |
获取价格 |
x1 Nibble Mode DRAM |
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UPD4217101G5M-60 | ETC |
获取价格 |
x1 Nibble Mode DRAM |
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UPD4217101G5M-70 | ETC |
获取价格 |
x1 Nibble Mode DRAM |
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