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UPD4217101V-80

更新时间: 2024-01-28 08:38:25
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
3页 101K
描述
x1 Nibble Mode DRAM

UPD4217101V-80 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.425 INCH, PLASTIC, ZIP-24
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:NIBBLE
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
JESD-30 代码:R-PZIP-T24内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:NIBBLE MODE DRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:ASYNCHRONOUS
组织:16MX1封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:ZIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:12.07 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAG宽度:2.8 mm
Base Number Matches:1

UPD4217101V-80 数据手册

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