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UPD4217102LE-10

更新时间: 2023-01-03 06:31:57
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 91K
描述
Static Column DRAM, 16MX1, 100ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24

UPD4217102LE-10 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
访问模式:STATIC COLUMN最长访问时间:100 ns
其他特性:RAS ONLY REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-J24
长度:18.67 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:STATIC COLUMN DRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:ASYNCHRONOUS
组织:16MX1封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.7 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm

UPD4217102LE-10 数据手册

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