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UPD4217160G5M-50

更新时间: 2024-09-27 20:21:47
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
38页 862K
描述
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-50/44

UPD4217160G5M-50 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-50/44
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:50 ns其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G44内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2-R封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:1.1 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

UPD4217160G5M-50 数据手册

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