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UPD4217180G5M-80

更新时间: 2024-11-25 20:01:47
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
38页 857K
描述
Fast Page DRAM, 1MX18, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-50/44

UPD4217180G5M-80 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-50/44
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G44
内存密度:18874368 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:18功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX18
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2-R
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
座面最大高度:1.1 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

UPD4217180G5M-80 数据手册

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